[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 201010196909.0 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101908543A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供集成电路结构。上述集成电路结构包括一基底及一通道位于该基底之上。该通道包括由III族元素和V族元素所构成的一第一III-V族化合物半导体材料。一栅极结构设置于该通道上。一源极/漏极区域邻接该通道，以及该源极/漏极区域包括一IV族区域择自一群组实质上包含硅、锗、及上述的组合。通过再成长硅/锗源极/漏极区域，可将既有的硅化技术用于降低源极/漏极电阻，且改善最终晶体管的驱动电流。缓冲层具有缓和介于晶体管的通道与源极/漏极区域之间的晶格常数转换的效果，因而导致具有降低缺陷密度和降低结漏电流的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一基底；一通道位于该基底之上，其中该通道包括由III族元素和V族元素所构成的一第一III V族化合物半导体材料；一栅极结构设置于该通道上；以及一源极/漏极区域邻接该通道，其中该源极/漏极区域包括一IV族区域择自一群组实质上包含硅、锗、及上述的组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
