[发明专利]光电晶片结构及光电元件有效
申请号: | 201010196899.0 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN101964374A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 袁荣亨 | 申请(专利权)人: | 前源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/02;H01L31/0224;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/36 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 张卫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光电元件系由底座与光电晶片组合而成,其中光电晶片具有一可导电基座,且一晶层构造位于可导电基座的一侧,以及二电极电性连结该晶层构造或该可导电基座,且二电极位在相同侧;底座由一金属盘体搭配一绝缘构造,且复数接脚组设在金属盘体或绝缘构造上;光电晶片系配置在绝缘构造上与各接脚相离,且光电晶片与底座保持绝缘状态;更进一步,一辅助接脚配置在绝缘构造轴向,其可用以承载光电晶片,以及形成断路或是作为光电晶片的一电极;上述的金属盘体与绝缘构造的组合可以由一相对应形状的非金属盘体所取代,且非金属盘体的周边更可具有一延伸墙部与一盖体结合形一光电元件。 | ||
搜索关键词: | 光电 晶片 结构 元件 | ||
【主权项】:
一种光电元件,系光电晶片配置于底座上,其特征在于:该光电晶片包含:一可导电基座,其具有第一极性,以及具有第一侧及第二侧;一晶层构造,其具有至少一晶层且位于该可导电基座的第一侧,该晶层构造具有第二极性且相异于第一极性;二电极,其位在同一侧并且分别电性连结该晶层构造和该可导电基座;该底座包含:一盘体,其具有第一面及第二面,该第一面相对该第二面;一绝缘构造,具有第一端及第二端,且其至少有一部份位于该盘体的第一面与第二面之间;复数电极接脚,组设于该盘体上或该绝缘构造上,且与该绝缘构造形成绝缘;其中该光电晶片以该可导电基座靠在该底座的绝缘机构上,且透过该二电极与至少一部份的复数电极接脚电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于前源科技股份有限公司,未经前源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010196899.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的