[发明专利]光电晶片结构及光电元件

权利要求书

1.一种光电元件，系光电晶片配置于底座上，其特征在于：

该光电晶片包含：

一可导电基座，其具有第一极性，以及具有第一侧及第二侧；

一晶层构造，其具有至少一晶层且位于该可导电基座的第一侧，该晶层构造具有第二极性且相异于第一极性；

二电极，其位在同一侧并且分别电性连结该晶层构造和该可导电基座；

该底座包含：

一盘体，其具有第一面及第二面，该第一面相对该第二面；

一绝缘构造，具有第一端及第二端，且其至少有一部份位于该盘体的第一面与第二面之间；

复数电极接脚，组设于该盘体上或该绝缘构造上，且与该绝缘构造形成绝缘；

其中该光电晶片以该可导电基座靠在该底座的绝缘机构上，且透过该二电极与至少一部份的复数电极接脚电性连接。

2.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该可导电基座为N型基座，其厚度为70-700um。

3.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该可导电基座为N型基座具第一极性，且该晶层构造具有P晶层为第二极性。

4.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该可导电基座为P型基座具第一极性，且该晶层构造具有N晶层为第二极性。

5.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：该可导电基座为N型基座，且其第二侧无相同材质的半绝缘或不导电基座。

6.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：该可导电基座与该底座之间具有一异质基板。

7.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：该光电晶片的晶层构造还包含一个低介电常数层或厚层，其位在该二电极之间，藉此降低该二电极间的电容值至少20％。

8.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：还包含一绝缘层，其配置在该光电晶片的可导电基板的第二侧。

9.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：该光电晶片的二电极为具有相同导电金属的结构，其至少为钛/金或铬/金的堆迭构造。

10.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：该盘体为金属材料制作的盘体且具有一嵌孔；该绝缘构造为绝缘材料制成的嵌入件，且配置在该嵌孔内；该第一端相邻该盘体的第一面用以承载该光电晶片，且该第一端可凸出、凹低或平齐于该盘体的第一面。

11.如权利要求10所述的光电元件，其特征在于：该嵌孔为一锥形孔，且该嵌入件的外形轮廓匹配于该嵌孔的形状，使得该嵌入件与该嵌孔可藉互相匹配的形状而形成紧密结合。

12.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：该绝缘构造的第一端具有一个凸出部；该凸出部凸出该盘体的第一面且用以承载该光电晶片。

13.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：该绝缘构造的第一端具有一个凹空部；该凹空部低于该盘体的第一面且用以容置该光电晶片。

14.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：还包含一辅助接脚，该辅助接脚的端部分别定义第一位置及第二位置且组设于该绝缘构造，其中该第一位置可凸出、凹低或平齐于该绝缘构造的第一面，且该第一位置用以承载该光电晶片。

15.如权利要求14所述的光电元件，其特征在于：通过调整或改变该辅助接脚的长度可使得该第二位置比各电极接脚的自由端更接近该盘体的第二面。

16.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：还包含一延伸墙部，其延伸自该绝缘构造且凸出该盘体及形成环状构造，该延伸墙部的内部为一空间，端部为具有开放口的开放端，且该开放口相对该光电晶片。

17.如权利要求16所述的光电元件，其特征在于：该延伸墙部具有一缺口。

18.如权利要求16或17所述的光电元件，其特征在于：还包含一个具有光学元件的盖体，其组设在该延伸墙部的开放端，且该光学元件对应该光电晶片。

19.如权利要求1或2所述的光电元件，其特征在于：还包含一金属薄膜，该金属薄膜结合该绝缘构造的第一端，且相离各电极接脚。