[发明专利]制作掩膜版的方法、对布局图形进行光学邻近修正方法有效
| 申请号： | 201010192865.4 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102262352A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨青 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制作掩膜版的方法、对布局图形进行光学邻近修正方法，制作掩膜版的方法包括：提供布局图形；将布局图形分割成第一布局图形和第二布局图形；在所述第一布局图形的切割位置形成第一延伸段；在第二布局图形的切割位置形成第二延伸段；执行对第一布局图形和第一延伸段的光学邻近修正，获得第一修正图形，第一修正图形在图形化仿真后包围第二延伸段所在区域；执行对第二布局图形和第二延伸段的光学邻近修正，获得第二修正图形，第二修正图形在图形化仿真后包围第一延伸段所在区域；将第一修正图形写入第一掩膜版；将第二修正图形写入第二掩膜版。图形化时在叠加位置处，图形的宽度和目标宽度相等，至少图形宽度与图形目标宽度之间的差距缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 掩膜版 方法 布局 图形 进行 光学 邻近 修正 | ||
【主权项】：
一种制作掩膜版的方法，其特征在于，包括：提供布局图形；将所述布局图形分割成第一布局图形和第二布局图形；在所述第一布局图形的切割位置形成第一延伸段；在所述第二布局图形的切割位置形成第二延伸段；执行对第一布局图形和第一延伸段的光学邻近修正，获得第一修正图形，所述第一修正图形在图形化仿真后包围第二延伸段所在区域；执行对第二布局图形和第二延伸段的光学邻近修正，获得第二修正图形，所述第二修正图形在图形化仿真后包围第一延伸段所在区域；将第一修正图形写入第一掩膜版；将第二修正图形写入第二掩膜版。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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