[发明专利]LED衬底及其制备方法无效
| 申请号： | 201010191472.1 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102263175A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 高福宝 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED衬底及其制备方法，涉及半导体工艺领域，用以简化图形化衬底的制备过程。本发明提供的LED衬底的制备方法，包括：在基体上形成掩膜层，该掩膜层为纤锌矿结构的薄膜；利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，直至所述掩膜层完全腐蚀掉，所述LED衬底表面形成不规则结构。本发明的方案适用于GaN基LED器件的制作过程。 | ||
| 搜索关键词： | led 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED衬底的制备方法，其特征在于，包括：在基体上形成掩膜层，该掩膜层为纤锌矿结构的薄膜；利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，直至所述掩膜层完全腐蚀掉，所述LED衬底表面形成不规则结构。
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