[发明专利]LED衬底及其制备方法无效
| 申请号： | 201010191472.1 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102263175A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 高福宝 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 衬底 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED衬底的制备方法，其特征在于，包括：
在基体上形成掩膜层，该掩膜层为纤锌矿结构的薄膜；
利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，直至所述掩膜层完全腐蚀掉，所述LED衬底表面形成不规则结构。
2.根据权利要求1所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述基体为蓝宝石基体。
3.根据权利要求1所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述掩膜层为ZnO薄膜或AlN薄膜或者掺杂ZnO薄膜。
4.根据权利要求1所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，具体包括：
使用盐酸、去离子水作为腐蚀溶液对所述掩膜层及所述基体进行湿法腐蚀。
5.根据权利要求1所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，具体包括：
使用盐酸、硝酸和去离子水作为腐蚀溶液对所述掩膜层及所述基体进行湿法腐蚀；
其中，所述盐酸和硝酸的体积比为1∶1。
6.根据权利要求1所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，具体包括：
使用王水、去离子水作为腐蚀溶液对所述掩膜层及所述基体进行湿法腐蚀。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述腐蚀溶液还包括缓蚀剂。
8.根据权利要求7所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述缓蚀剂为六次甲基四胺。
9.根据权利要求4至6中任一项所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，在所述腐蚀溶液中，酸性溶液的质量浓度在2％以下。
10.根据权利要求9所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，在所述腐蚀溶液中，所述酸性溶液的质量浓度在0.5％～1％之间。
11.根据权利要求1所述的LED衬底的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为800nm～1500nm。
12.一种利用权利要求1至11中任一项所述方法制备的LED衬底，其特征在于，所述LED衬底表面为不规则结构。
13.根据权利要求12所述的LED衬底，其特征在于，所述不规则结构为六面体坑状结构。
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