[发明专利]一种混合型非易失存储单元及其制作方法无效
| 申请号： | 201010191195.4 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102263137A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;钟浩;王琴;龙世兵;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合型非易失存储单元及其制作方法。该存储器包括：硅衬底；在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；在源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的隧穿介质层；在隧穿介质层上覆盖的第一俘获层；在第一俘获层上覆盖的多晶硅浮栅层；在多晶硅浮栅层上覆盖的第二俘获层；在第二俘获层上覆盖的控制栅介质层；以及在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。本发明结合了浮栅型存储器和俘获型存储器的优点，相对俘获型存储器可以有效提高电荷俘获型非易失存储器的电荷保持特性，并且有益于增大存储窗口，相对浮栅型存储器提高了编程与擦除的速度，从而综合改善了器件的存储特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 型非易失 存储 单元 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种混合型非易失存储单元，其特征在于，该存储单元包括：硅衬底(1)；在硅衬底(1)上重掺杂的源导电区(8)和漏导电区(9)；在源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的隧穿介质层(2)；在隧穿介质层(2)上覆盖的第一俘获层(3)；在第一俘获层(3)上覆盖的多晶硅浮栅层(4)；在多晶硅浮栅层(4)上覆盖的第二俘获层(5)；在第二俘获层(5)上覆盖的控制栅介质层(6)；以及在控制栅介质层(6)上覆盖的栅材料层(7)。
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