[发明专利]一种具有改善型集电极结构的IGBT

摘要

本发明涉及一种具有改善型集电极结构的IGBT。其包括半导体基板；半导体基板的第二主面上设置第二导电类型集电区及金属化集电极；半导体基板内设有第二导电类型基区；第二导电类型基区的上部设有第一导电类型发射区；半导体基板的第一主面上还设有绝缘栅、绝缘介质层与金属化发射极；第二导电类型集电区包括一个或多个具有第一掺杂浓度的第一区域和一个或多个具有第二掺杂浓度的第二区域，第一区域包围多个第二区域或第一区域与第二区域交替邻接设置；第一区域的第一掺杂浓度小于第二区域的第二掺杂浓度，且第一区域的第一掺杂浓度大于第一导电类型半导体基板的掺杂浓度。本发明通态压降低，具有较低的关断损耗及较高的耐冲击性能。

主权项

一种具有改善型集电极结构的IGBT，在所述半导体IGBT器件的截面上，包括具有两个相对主面的第一导电类型的半导体基板，半导体基板包括第一主面与第二主面；所述半导体基板的第二主面上设置第二导电类型集电区，所述第二导电类型集电区上淀积有金属化集电极；所述半导体基板内设有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区邻近第一主面，且与第一主面相接触；所述第二导电类型基区的上部设有第一导电类型发射区；所述半导体基板的第一主面上还设有绝缘栅、绝缘介质层与金属化发射极；所述绝缘栅与第一导电类型发射区相接触，所述绝缘栅与金属化发射极利用绝缘介质层相隔离；所述金属化发射极淀积在第一主面上，并与第一导电类型发射区、第二导电类型基区电性接触；其特征是：在所述半导体IGBT器件的截面上，所述第二导电类型集电区包括一个或多个具有第一掺杂浓度的第一区域和一个或多个具有第二掺杂浓度的第二区域，所述第一区域包围多个第二区域或第一区域与第二区域交替邻接设置；所述第一区域的第一掺杂浓度小于第二区域的第二掺杂浓度，且所述第一区域的第一掺杂浓度大于第一导电类型半导体基板的掺杂浓度。