[发明专利]一种均匀致密碘化亚铜半导体薄膜的电化学制备方法无效
| 申请号： | 201010188752.7 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101871111A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘润;徐铸德;陈科立;王辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D7/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种均匀致密碘化亚铜半导体薄膜的电化学制备方法。包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002～2mol/L的Cu(NO3)2、0.002～2mol/L的KI、3.4×10-6～1.7×10-3mol/L的K30聚乙烯吡咯烷酮混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH至1～5，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作工作电极，铂片电极作对电极，饱和甘汞电极作参比电极电沉积得到致密碘化亚铜半导体薄膜，相对饱和甘汞电极的电沉积电压为0.1～-0.4V，电沉积时间为1～30分钟，电沉积温度为25～80℃。本发明优势在于设备简单、成本低廉，反应条件要求较低等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 致密 碘化 半导体 薄膜 电化学 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种均匀致密碘化亚铜半导体薄膜的电化学制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；2)将0.002～2mol/L的Cu(NO3)2、0.002～2mol/L的KI、3.4×10-6～1.7×10-3mol/L的K30聚乙烯吡咯烷酮进行混合，用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值至1～5，得到电解液；3)ITO导电玻璃或硅片作为工作电极，铂片电极作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积，得到致密碘化亚铜半导体薄膜，相对于饱和甘汞电极的电沉积电压为0.1V～-0.4V，电沉积时间为1分钟～30分钟，电沉积温度为25～80℃。
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