[发明专利]半导体制造平台的泄漏检测装置、其使用方法及其平台无效

专利信息
申请号: 201010187339.9 申请日: 2010-05-28
公开(公告)号: CN101881687A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 王健平 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01M3/02 分类号: G01M3/02;G01M3/34;H01L21/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于半导体制造平台的泄漏检测装置,所述半导体制造平台包括流体连通的远程等离子体源、处理室以及泵,所述远程等离子体源向所述处理室供给等离子体,所述泵抽吸所述处理室以使其为真空。所述泄漏检测装置包括设在所述远程等离子体源与所述处理室之间的隔离单元,其使得所述远程等离子体源与所述处理室可断开地连通。所述泄漏检测装置还包括检测单元,其检测所述处理室的泄漏率。
搜索关键词: 半导体 制造 平台 泄漏 检测 装置 使用方法 及其
【主权项】:
一种用于半导体制造平台的泄漏检测装置,所述半导体制造平台包括流体连通的远程等离子体源、处理室以及泵,所述远程等离子体源向所述处理室供给等离子体,所述泵抽吸所述处理室以使其为真空,其特征在于,所述装置包括:设在所述远程等离子体源与所述处理室之间的隔离单元,其使得所述远程等离子体源与所述处理室可断开地连通;检测单元,其检测所述处理室的泄漏率。
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