[发明专利]MEMS压敏传感器件的制作方法有效
| 申请号： | 201010186557.0 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102259823A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 邓镭;方精训;彭虎;程晓华;刘远良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS压敏传感器件的制作方法，包括如下步骤：1)先在硅片上淀积一阻挡层；2)刻蚀形成空腔；3)淀积第一层牺牲层；4)CMP研磨第一层牺牲层；5)剥离所述阻挡层，接着淀积第二层牺牲层；6)之后形成支撑柱通孔；7)在硅片表面淀积压敏传感薄膜；8)而后刻蚀压敏传感薄膜至第二层牺牲层；9)湿法去除第二层牺牲层；10)淀积保护层，以密封空腔。本发明的制作方法中，在空腔刻蚀之前先淀积一阻挡层，作为CMP研磨第一层牺牲层时的阻挡层，而后去除该阻挡层，再次淀积第二层牺牲层，消除了单层牺牲层的CMP工艺流程中带来的面内不均一性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压敏传感器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅片上淀积一阻挡层；2)光刻工艺定义出空腔的位置，刻蚀所述阻挡层和所述硅片形成空腔；3)淀积第一层牺牲层，所述第一层牺牲层填充所述空腔；4)采用CMP工艺研磨所述第一层牺牲层至所述阻挡层上；5)剥离所述阻挡层，接着淀积第二层牺牲层；6)光刻工艺定义出支撑柱通孔的位置，之后刻蚀所述第二层牺牲层和所述硅片形成支撑柱通孔；7)在硅片表面淀积压敏传感薄膜；8)光刻工艺定义出压敏传感薄膜的图形，而后刻蚀所述压敏传感薄膜至第二层牺牲层；9)湿法去除所述第二层牺牲层和所述第一层牺牲层；10)淀积保护层，以密封所述空腔。
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