[发明专利]半导体晶片的激光加工方法有效
| 申请号： | 201010185082.3 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101890580A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;吕俊刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片的激光加工方法，其能制造抗弯强度高的器件。该半导体晶片的激光加工方法的特征在于，具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，将脉冲激光束的脉宽设定为2ns以下，并且，以拐点以下的峰值能量密度向半导体晶片的分割预定线照射激光束，所述拐点是形成在半导体晶片的分割预定线上的激光加工槽的深度进展随每1个脉冲的峰值能量密度的上升而发生急剧变化的点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 激光 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片的激光加工方法，其特征在于，该半导体晶片的激光加工方法具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，将脉冲激光束的脉宽设定为2ns以下，并且，以拐点以下的峰值能量密度向半导体晶片的分割预定线照射激光束，所述拐点是形成在半导体晶片的分割预定线上的激光加工槽的深度进展随每1个脉冲的峰值能量密度的上升而发生急剧变化的点。
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