[发明专利]一种沟槽MOSFET功率整流器件及制造方法无效
| 申请号： | 201010181358.0 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102254944A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 龙涛;王乙明;金钟元 | 申请（专利权）人： | 上海新进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李秋香;逯长明 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽MOSFET功率整流器件，第一导电类型的衬底；从第一导电类型的衬底的上表面延伸到衬底中的第一沟槽，第一沟槽通过台面区域隔开；在台面区域表面形成第一导电类型的源区；在源区下面形成第二导电类型的体区；第一沟槽的侧壁和底部均具有栅氧化层，且第一沟槽的底部栅氧化层厚度大于第一沟槽的侧壁栅氧化层厚度；第一沟槽内有掺杂多晶硅填充，形成栅多晶硅；上表面与第一导电类型的源区、第二导电类型的体区和所述栅多晶硅形成欧姆接触的第一个电极；以及，在第一导电类型的衬底的下表面的第二个电极。本发明提供一种沟槽MOSFET功率整流器件及制作方法，使得沟槽MOSFET功率整流器件的沟槽底部能承受高反向电压下高的电场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 功率 整流 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，第一导电类型的衬底；从所述第一导电类型的衬底的上表面延伸到所述第一导电类型的衬底中的沟槽，所述第一沟槽通过台面区域隔开；在所述台面区域表面形成第一导电类型的源区；在源区下面形成第二导电类型的体区；所述第一沟槽的侧壁和底部均具有栅氧化层，且所述第一沟槽的底部栅氧化层厚度大于所述第一沟槽的侧壁栅氧化层厚度；所述第一沟槽内有掺杂多晶硅填充，形成栅多晶硅；在上表面与所述第一导电类型的源区、第二导电类型的体区和所述栅多晶硅形成欧姆接触的第一个电极；以及，在所述第一导电类型的衬底的下表面的第二个电极。
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