[发明专利]改善再生晶圆表面性能以及在其上沉积富氧氧化硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010181346.8 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102254816A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 梁富堂;龚睿;杨浩;韩轲 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善再生晶圆表面性能的方法，包括：在含氮气的氛围内进行退火处理。还提供一种在再生晶圆上沉积富氧氧化硅薄膜的方法，包括：提供再生晶圆；将再生晶圆在含氮气的氛围内进行退火处理；在再生晶圆上沉积富氧氧化硅薄膜。采用所述方法之后，富氧氧化硅薄膜表面不会再出现条状缺陷。采用所述的方法，提高了再生晶圆的利用率，节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 再生 表面 性能 以及 沉积 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种改善再生晶圆表面性能的方法，其特征在于，包括：在含氮气的氛围内进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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