[发明专利]提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺

摘要

本发明公开了一种提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺，在完成常规工艺后，采用干湿蚀刻和劈裂技术结合取代钻石刀切割技术使芯粒完全分离，由于干蚀刻的各向异性蚀刻，可减少芯粒边缘的崩裂，使芯粒与芯粒间面积损失减少，进而可提高单片产出数量，并可有效地避免切割后残留粉尘附于侧面引起导致漏电，提高产品的良率，有效地降低生产成本。

主权项

提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺，其工艺步骤如下：1)在衬底上依次形成分布布拉格反射层、第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层、窗口层；2)在窗口层上形成P电极并在衬底的底面形成N电极，构成晶片；3)在晶片的顶面形成保护层用于遮盖P电极；4)通过光刻技术在晶片的顶面形成2～5μm的切割道，并定义预切割晶粒的尺寸；5)对晶片顶面的保护层从上述切割道切口进行湿蚀刻至窗口层顶面；6)在晶片的底面形成保护层用于遮盖N电极；7)通过干蚀刻技术，将对晶片的顶面进行非等向性干蚀刻，可得到3～6μm的切割道；8)去除晶片的顶面P电极的保护层、底面N电极的保护层后进行光电参数测试；9)在晶片的底面形成保护层用于遮盖N电极；10)通过具有上下CCD镜头的光刻机在与晶片的顶面相对应的背面光刻出2～5μm的切割道；11)对晶片底面的保护层从上述切割道切口进行湿蚀刻至底面N电极底面；12)在晶片的顶面形成保护层用于遮盖P电极；13)通过干蚀刻技术，对晶片的背面进行非等向性干蚀刻，得到3～6μm的切割道，并使上下切割道间剩余5～10μm；14)去除晶片的顶面P电极的保护层、底面N电极的保护层后，对晶片采用劈裂技术即得发光二极管芯粒。