[发明专利]具有原位掺杂源漏的MOS管结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010177623.8 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101859796A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王敬;郭磊;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有原位掺杂源漏的MOS管结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的高Ge组分层；形成在所述高Ge组分层之上的栅堆叠，及所述栅堆叠两侧的一层或多层侧墙；和形成在高Ge组分层之中的源极和漏极，其中，由低温选择性外延形成所述源极和漏极，且在低温选择性外延时通入掺杂气体以对源极和漏极进行重掺杂，并实现掺杂元素的原位激活。通过本发明实施例可在Ge或高Ge组分的SiGe层中形成激活的重掺杂源漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 原位 掺杂 mos 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有原位掺杂源漏的MOS管结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的高Ge组分层；形成在所述高Ge组分层之上的栅堆叠，及所述栅堆叠两侧的一层或多层侧墙；和形成在所述高Ge组分层之中的源极和漏极，其中，所述源极和漏极是由低温选择性外延形成的，且在低温选择性外延时通入掺杂气体以对所述源极和漏极进行重掺杂，并实现掺杂元素的原位激活。
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