[发明专利]一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法

摘要

一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。

主权项

一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；以上步骤制作成结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极的n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器。