[发明专利]薄膜电阻器的制造方法有效
| 申请号： | 201010170233.8 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102129900A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 叶德强;匡训沖;刘铭棋;喻中一;赵治平;亚历山大·卡尼斯基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/075 | 分类号： | H01C17/075;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。本发明可减少工艺时间，且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电阻器的制造方法，包括：a形成一掺杂区于一半导体基板中；b形成一介电层于该基板上；c形成一薄膜电阻器于该介电层上；d形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出该掺杂区；e形成一导电垫层于该接触孔的侧壁；以及f同时对该薄膜电阻器与该导电垫层实施一快速热回火。
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