[发明专利]薄膜电阻器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体的制造方法，尤其涉及一种集成电路中薄膜电阻器的制造方法。

背景技术

设计工程师包括对集成电路(IC)中薄膜电阻器(TFR)的设计。在设计阶段控制的参数包括薄膜电阻器(TFR)的片电阻与电阻温度系数(TCR)。电阻温度系数(TCR)为每单位温度变化，片电阻变化的情形。

由于后沉积层的工艺温度会影响前沉积层的片电阻(sheet resistance)与电阻温度系数(TCR)，因此，控制集成电路(IC)不同层上薄膜电阻器(TFR)的片电阻与电阻温度系数(TCR)是复杂的。

改善的薄膜电阻器整合方法是令人期待的。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例中，提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；形成一接触孔于该介电层中，使得该接触孔露出该掺杂区；形成一导电垫层于该接触孔的侧壁；以及同时对该薄膜电阻器与该导电垫层实施一快速热回火。

本发明实施例中，提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。

本发明可减少工艺时间，且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A～图1I为本发明一实施例，一种包括至少一薄膜电阻器(TFR)的集成电路(IC)的形成方法。

图2A～图2B揭示三个步骤，其可取代部分图1A～图1I所示的方法。

图3A～图3C揭示形成薄膜电阻器(TFR)的步骤，其可取代图1A～图1I或图2A～图2B的方法。

图4A～图4C揭示另一形成薄膜电阻器(TFR)的步骤，其可取代图1A～图1I或图2A～图2B的方法。

其中，附图标记说明如下：

100～集成电路；

110、210、310、410～(半导体)基板；

112、212～掺杂区；

120、220、185、285、320、420～第一层(层间介电层)(内连线层)；

130、180、230、280、470a、470b～氧化层；

140、240～电阻器材料层(电阻膜层)(电阻层)(铬化硅层)；

140b～薄膜电阻器主体；

142、242～电阻器(薄膜电阻器)；

150～覆盖层；

150a、150b、160a、160b、250a、250b、260a、260b～接触端；

160、330a、330b、430a、430b～导电层(钨层)；

170～第一光致抗蚀剂层；

171a、171b～电阻掩模；

190、290～导电垫层；

191、291～快速热回火步骤；

192、292、196a、196b、196c～接触孔；

193、293～导电插栓(钨插栓)；

194、294a、294b～导电接触端；

195～金属间介电层；

198a、198b、198c～接触端；

340a、340b、440a、440b～铜铝层；

350a、350b、450a、450b～(氮化钛、氮化钽、钨化钛或钨化钽)导电层；

360、480～坦覆层(电阻器材料)；

360a、360b、460a、460b～(图案化)光致抗蚀剂掩模；

361、481～金属电阻器；

361b、481b～金属电阻器底部；

370～第二掩模(光致抗蚀剂材料平坦层)(光致抗蚀剂)。

具体实施方式

图1A～图1I显示一整合方法的一第一实施例，包括于一集成电路(IC)100中制作一薄膜电阻器142。图1A～图1I的实施例包括使用一单一热处理(回火步骤)，以调整一薄膜电阻器(TFR)的参数(电阻温度系数(TCR)与片电阻)以及对一接触垫(阻障)层进行回火。