[发明专利]薄膜电阻器的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜电阻器的制造方法，包括：

a形成一掺杂区于一半导体基板中；

b形成一介电层于该基板上；

c形成一薄膜电阻器于该介电层上；

d形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出该掺杂区；

e形成一导电垫层于该接触孔的侧壁；以及

f同时对该薄膜电阻器与该导电垫层实施一快速热回火。

2.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制造方法，其中于步骤c与e之间不实施回火步骤。

3.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制造方法，其中于实施步骤e之后，对该薄膜电阻器进行回火。

4.如权利要求3所述的薄膜电阻器的制造方法，其中对该薄膜电阻器进行单次回火。

5.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制造方法，其中该薄膜电阻器包括一金属电阻器。

6.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制造方法，其中该快速热回火提升该薄膜电阻器的温度至550度或更高。

7.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制造方法，还包括形成一第二介电层于该薄膜电阻器上，以及平坦化该第二介电层，以露出该薄膜电阻器的接触端。

8.一种薄膜电阻器的制造方法，包括：

a形成一掺杂区于一半导体基板中；

b形成一介电层于该基板上；

c形成一薄膜电阻器于该介电层上；

d于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及

e于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。

9.如权利要求8所述的薄膜电阻器的制造方法，其中于步骤c之后，实施步骤d，且于步骤c与e之间对该薄膜电阻器不实施回火步骤。

10.如权利要求8所述的薄膜电阻器的制造方法，其中于步骤c之后，实施步骤d，且于步骤e之前，对该薄膜电阻器不实施回火步骤。

11.如权利要求8所述的薄膜电阻器的制造方法，其中该薄膜电阻器包括一金属电阻器。

12.如权利要求8所述的薄膜电阻器的制造方法，还包括于步骤d之后，形成一导电垫层，包括氮化钛或氮化钽，以及步骤e包括同时对该导电垫层与该薄膜电阻器实施一快速热回火。

13.如权利要求8所述的薄膜电阻器的制造方法，其中该快速热回火提升该薄膜电阻器的温度至550度或更高。

14.如权利要求8所述的薄膜电阻器的制造方法，还包括形成一第二介电层于该薄膜电阻器上，以及平坦化该第二介电层，以露出该薄膜电阻器的接触端。

15.如权利要求8所述的薄膜电阻器的制造方法，还包括填入一导电材料于该接触孔中，以及形成一导电路径，连接该薄膜电阻器的其中之一接触端与该接触孔中的该导电材料。