[发明专利]超快软恢复二极管芯片的生产方法无效
| 申请号： | 201010169517.5 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101866854A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王健 | 申请（专利权）人： | 襄樊三瑞达电力半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 襄樊中天信诚知识产权事务所 42218 | 代理人： | 帅玲 |
| 地址： | 441003 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种超快软恢复二极管芯片的生产方法，用于大电流、快软恢芯片的生产。包括外延片清洗、磷预淀积、喷砂、硼扩散及磷高温再分布、双面喷砂、氧化退火、铂扩散、清洗、刻槽、玻璃钝化保护、电极蒸发、划片，本发明对晶片采用真空蒸铂的方法后再进行铂扩散，在900℃-1000℃的温度范围内再扩散0.5-2.5小时，获得软恢复特性，使反向恢复电流具有软特性；较好地解决了反向恢复时间与通态压降的优化问题；无需专门设计实现软特性的特殊工艺和方法，只需变换扩铂方式和方法，从而有效达成快速二极管的软恢复特性；可广泛替代进口，应用于各个领域，实现该系列产品的全面国产化。 | ||
| 搜索关键词： | 超快软 恢复 二极管 芯片 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种超快软恢复二极管芯片的生产方法，包括外延片清洗、磷预淀积、喷砂、硼扩散及磷高温再分布、双面喷砂、氧化退火、铂扩散、清洗、刻槽、玻璃钝化保护、电极蒸发、划片，其特征在于：对晶片采用真空蒸铂的方法后再进行铂扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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