[发明专利]薄形硅晶片的制备方法

摘要

一种薄形硅晶片的制备方法，包括：①制备籽晶、②安装籽晶、③配料、④化料、⑤生长晶体和⑥对所述的带状的硅晶体进行少量加工等步骤，即可获得所需要的薄形硅晶片。本发明从晶体生长过程就控制硅晶体形状和尺寸，减少了晶体加工时的物料浪费和能耗。

主权项

一种薄形硅晶片的制备方法，特征在于包括以下步骤：①制备籽晶：按照所需生长薄形硅晶片横断面的形状并按晶体生长的取向将硅单晶体或多晶硅锭加工成具有所需生长薄形硅晶片横截面的形状的籽晶；②安装籽晶：将所述的籽晶按晶体生长方向朝下固定在生长装置的籽晶架上；③配料：将高纯多晶硅粉料或块料以及达到所需电阻率对应浓度的掺杂元素的高纯原料置于石英坩埚中，再将该石英坩埚置于所述的生长装置的密闭容器的石墨发热体中；④化料：将所述的密闭容器内抽真空，真空度范围为10‑8～10‑3乇，将氩气充入密闭容器至0.5～3个大气压，起保护作用，所述的石墨发热体通电加热，将所述的石英坩埚内的温度升至石英坩埚内原料的熔点以上，并保持0.2～2个小时，使原料充分融化，形成熔体；⑤生长晶体：调整生长装置中的温场，达到所述的硅晶体的生长温度，通过籽晶架的驱动机构将所述的籽晶下降，使部分籽晶浸入所述的熔体中，同时调整籽晶的提拉速度，采用直拉法从熔体中生长出的带状的单晶或多晶硅晶体，该单晶或多晶硅晶体的横截面形状与所述的籽晶横截面的形状相似；⑥对所述的带状的硅晶体进行加工，得到所需要的薄形硅晶片。