[发明专利]一种大孔电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种大孔电极及其制备方法，所述大孔电极是由大孔径的三维SiO2超薄膜基体和掺杂锑的二氧化锡薄膜构成，所述二氧化锡以纳米超薄膜的形式覆于三维SiO2超薄膜上，制备过程为为先用环氧树脂制备三维骨架结构，再将三维骨架结构在正硅酸四乙酯中浸泡，用马弗炉焙烧即可得到三维SiO2超薄膜，然后结合溶胶/凝胶传统方法，以SnCl2/SbCl3的乙二醇混合溶液为浸渍液，将三维SiO2超薄膜浸入，通过分步水解、高温煅烧等处理，生成掺杂锑的二氧化锡纳米(ATO)薄膜附着在基体表面。本发明制得的大孔电极导电性强、耐氧化、耐腐蚀，用料省成本较低，可直接作为电极材料和电催化材料使用，并且电极的尺寸和形状可以调节，适合工业用途的需要。

主权项

一种大孔电极，其特征在于所述大孔电极是由大孔径的三维Si02超薄膜基体和掺杂锑的二氧化锡(ATO)薄膜构成，其中ATO的含量在50～85wt％范围，所述二氧化锡以纳米超薄膜的形式覆于三维Si02超薄膜表面，其中导电薄膜中锡与锑的原子比例为14∶1～9∶1，所述的大孔的孔径范围在100nm至2μm之间。