[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种形成半导体器件的方法，其包括在所述衬底的p型器件区域的顶上形成含Ge层。之后，在衬底的第二部分中形成第一电介质层，并且将第二电介质层形成为覆盖在所述衬底的所述第二部分中的所述第一电介质层之上且覆盖在所述衬底的所述第一部分之上。然后，在所述衬底的所述p型器件区域和所述n型器件区域的顶上形成栅极结构，其中所述n型器件区域的栅极结构包括稀土金属。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一器件区域和第二器件区域；n型导电性器件，其存在于包括第一栅极结构的所述第一器件区域中，所述第一栅极结构至少具有第一高k电介质和在所述第一高k电介质的顶上存在的至少一种稀土金属；以及p型导电性器件，其存在于包括第二栅极结构的所述第二器件区域中，所述第二栅极结构具有第二高k电介质，所述第二栅极结构在包括含Ge层的器件沟道的顶上，其中所述第二高k电介质具有大于所述第一高k电介质的电荷。