[发明专利]抗总剂量辐照的SOI器件,及其制造方法

摘要

本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明所述的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层，所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明所述的制造方法包括：a)在硅片上通过热氧化生长方法形成第一SiO2层；b)在第一SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成多晶硅牺牲层；c)在多晶硅牺牲层上通过热氧化生长方法形成第二SiO2层；d)在第二SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成P型硅层。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。

主权项

一种抗总剂量辐照的SOI器件，该SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，其特征在于，所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层，所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。