[发明专利]制作快闪存储器元件的方法有效
| 申请号： | 201010163870.2 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102222645A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄志仁;陈建宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作快闪存储器元件的方法，包括下列步骤。首先，提供基底。接着，在基底上形成堆叠栅结构。随后，在堆叠栅结构上形成第一氧化层。之后，在堆叠栅结构周围形成氮化物间隙壁，其中于形成第一氧化层之后且于形成氮化物间隙壁之前，进行氮原子导入处理。据此，本发明可利用此氮原子导入处理，改善快闪存储器元件的数据保存可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 闪存 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作快闪存储器元件的方法，包括：提供基底；在该基底上形成堆叠栅结构；在该堆叠栅结构上形成第一氧化层；以及在该堆叠栅结构周围形成氮化物间隙壁，其中在形成该第一氧化层之后且在形成该氮化物间隙壁之前，进行氮原子导入处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
