[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010163043.3 | 申请日： | 2010-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102237411A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 舒芳安;辛哲宏;黄松辉;陈礼廷;张永升 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43;H01L21/34;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所 11301 | 代理人： | 牟长林 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜晶体管，包括基板、闸极层、氧化物薄膜与闸极绝缘层。闸极层、氧化物薄膜与闸极绝缘层设置于基板上方，且闸极绝缘层位于闸极层与氧化物薄膜之间。氧化物薄膜具有源极区、漏极区及通道区，其中通道区位于源极区与漏极区之间，并对应至闸极层。且源极区与漏极区的导电性大于通道区的导电性。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。上述氧化物薄膜晶体管可完全制作成透明的。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其包括一个基板、一个闸极层、一层氧化物薄膜与一个闸极绝缘层，该闸极层设置于该基板上方，其特征在于：该氧化物薄膜设置于该基板上方，并具有一个源极区、一个漏极区及一个通道区，其中该通道区位于该源极区与该漏极区之间，并对应至该闸极层，且该源极区与该漏极区的导电性大于该通道区的导电性；该闸极绝缘层设置于该基板上方，并位于该闸极层与该氧化物薄膜之间。
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