[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，其包括一个基板、一个闸极层、一层氧化物薄膜与一个闸极绝缘层，该闸极层设置于该基板上方，其特征在于：该氧化物薄膜设置于该基板上方，并具有一个源极区、一个漏极区及一个通道区，其中该通道区位于该源极区与该漏极区之间，并对应至该闸极层，且该源极区与该漏极区的导电性大于该通道区的导电性；该闸极绝缘层设置于该基板上方，并位于该闸极层与该氧化物薄膜之间。

2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：该氧化物薄膜包含氧化铟镓锌或氧化铟锌。

3.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：该闸极层的材质包括铟锡氧化物。

4.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：该闸极绝缘层覆盖该闸极层，且该氧化物薄膜设置于该闸极绝缘层上。

5.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：该闸极绝缘层设置于该氧化物薄膜上，而该闸极层设置于该闸极绝缘层上且与该氧化物薄膜的该通道区相对应。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括步骤：

提供一个基板；

在该基板上形成一个闸极层、一个闸极绝缘层以及一个氧化物半导体层，其中该闸极绝缘层位于该闸极层与该氧化物半导体层之间，且该氧化物半导体层具有一个源极预定区、一个漏极预定区及一个通道区，其中该通道区位于该源极预定区与该漏极预定区之间；以及

对该源极预定区与该漏极预定区进行一个导电化制程，以于该闸极绝缘层上形成具有该通道区、一个源极区与一个漏极区的氧化物薄膜。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：形成该闸极层、该闸极绝缘层以及该氧化物半导体层的方法包括：

在该基板上依次形成该闸极层与该闸极绝缘层，以使该闸极绝缘层覆盖该闸极层；以及

在该闸极绝缘层上形成该氧化物半导体层。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：形成该闸极层、该闸极绝缘层以及该氧化物半导体层的方法包括：

在该基底上形成该氧化物半导体层；

在该氧化物半导体层上形成该闸极绝缘层；以及

在该闸极绝缘层上形成该闸极层，该闸极层与该氧化物薄膜的该通道区相对应。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该导电化制程包括等离子处理制程，且该等离子处理制程所使用的气体包括氩气、氨气或氢气。

10.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该导电化制程包括紫外光照射或激光照射。