[发明专利]发光二极管的封装结构无效
申请号: | 201010159829.8 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN102237469A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 廖启维;曾文良;林志勇;谢明村;叶进连 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/50 |
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地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管的封装结构,其包括一基板、贴设在基板上的发光二极管芯片及一包含有荧光粉的封装体。所述封装体设置有光散射结构,该光散射结构对光的散射强度与照射在所述封装体上各区域的光强大小呈同向增减,以及所述荧光粉的密度与照射在封装体上各区域的光强大小呈同向增减。藉此使得发光二极管的封装结构具有光散射结构,经过光散射结构的散光作用,发光二极管的封装结构中心点透光亮度与发光二极管的封装结构周围的透光亮度基本相同并且发光二极管的封装结构的出光趋于均匀。而荧光粉的密度是根据光强大小呈同向增减,使得发光二极管的封装结构混光趋于均匀。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管的封装结构,其包括一基板、贴设在基板上的发光二极管芯片及一封装体,其特征在于:所述封装体设置一光散射结构,该光散射结构对光的散射强度与照射在所述封装体上各区域的光强大小呈同向增减。
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