[发明专利]发光二极管的封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，特别是指一种发光二极管的封装结构。

背景技术

目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因具光质(亦即光源输出的光谱)佳及发光效率高等特性而逐渐取代冷阴极荧光灯(Cold CathodeFluorescent Lamp，CCFL)作为照明装置的发光元件。

现有发光二极管的封装结构包括一发光二极管芯片及一通过点胶方式直接封装该发光二极管芯片的封装体，该封装体大致呈半球形，其中均匀分布有荧光粉。荧光粉直接分布在该发光二极管芯片的周围。当该发光二极管的封装结构工作时，其温度通常会达到70～80度，这样的高温很容易使该荧光粉的效率降低，造成发光二极管的封装结构的出光效率及均匀度降低。为了解决上述问题，将封装体做成一个空心的壳体，使得封装体上的荧光粉与发光二极管芯片之间具有一空间，从而避免了因高温而造成的荧光粉的效率降低。当发光二极管芯片所发出的初始光束与初始光束激发荧光粉后发出不同于初始光波长的另一光束，两种光束混光后会产生白光射出封装体外部，但是，发光二极管的封装结构的中心点透光亮度与发光二极管的封装结构周围的透光亮度有很大差别，往往造成发光二极管的封装结构的出光不均匀。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种出光均匀度较佳的发光二极管的封装结构。

本发明揭露一种发光二极管的封装结构，其包括一基板、贴设在基板上的发光二极管芯片及一封装体，该封装体设置有光散射结构，该光散射结构对光的散射强度与照射在所述封装体上各区域的光强大小呈同向增减。

一种发光二极管的封装结构，其包括一基板、贴设在基板上的发光二极管芯片及一包含有荧光粉的封装体，该封装体设置一光散射结构，该光散射结构对光的散射强度与照射在所述封装体上各区域的光强大小呈同向增减，以及所述荧光粉的密度与照射在封装体上各区域的光强大小呈同向增减。

本发明发光二极管的封装结构具有光散射结构，经过光散射结构的散光作用，发光二极管的封装结构的中心点透光亮度与发光二极管的封装结构周围的透光亮度基本相同，发光二极管的封装结构的出光趋于均匀。

另外，荧光粉的密度与照射在封装体上各区域的光强大小呈同向增减，使得发光二极管的封装结构混光趋于均匀。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明发光二极管的封装结构的第一实施例的剖面示意图。

图2为图1的发光二极管的封装结构在直角坐标系下的配光曲线。

图3为图1的发光二极管的封装结构的基板的另一种结构剖面示意图。

图4为图1的发光二极管的封装结构的封装体的另一种结构剖面示意图。

图5为本发明发光二极管的封装结构的第二实施例的剖面示意图。

图6为图5的发光二极管封装结构的外表面的雾化层的雾化程度俯视示意图。

图7为本发明发光二极管的封装结构的第三实施例的剖面示意图。

图8为本发明发光二极管的封装结构的第四实施例的剖面示意图。

图9为本发明发光二极管的封装结构的第五实施例的剖面示意图。

图10为本发明发光二极管的封装结构的第六实施例的剖面示意图。

图11为本发明发光二极管的封装结构的第七实施例的剖面示意图。

主要元件符号说明