[发明专利]一种提高芯片成品率的多项目晶圆切割方法

摘要

本发明公开了一种提高芯片成品率的多项目晶圆切割方法，根据实际生产中不同芯片的产量需求和切割需求，提出了一种按模拟退火算法快速求最优解获得的最优布局规划切割多项目晶圆的方法，保证能在同一掩模板上同时切割去功能完好的归于同一分割组的具有相同优先级的所有芯片，能有效地实现优先保证高优先级的芯片不被切坏，最大限度地降低由于晶圆切割的因素而导致的芯片成品率丢失；同时，能够减少生产中需要的晶圆数量，降低生产成本。

主权项

1.一种提高芯片成品率的多项目晶圆切割方法，包括：(1)获取芯片的面积和产量需求的信息；(2)按照实际生产需求确定芯片的优先级，将相同优先级的芯片归于同一分割组；(3)获取实际生产需求中的掩模板面积和晶圆数量的权重系数的信息；(4)获取晶圆切割要求参数的信息，所述的晶圆切割要求参数包括最小的切割宽度和芯片周边宽度大小的上限值；(5)根据步骤(1)的信息随机获取单个掩模板的初始布局规划，以方程表达式(III)作为模拟退火优化的总目标方程，利用模拟退火算法对布局规划进行优化求解，方程表达式(III)如下：area=δ*Σp=1N-1(Σq=p+1NEpq(Vp+Vq))/(M-1)/Σr=1NVr*Σs=1NCs+(1-δ)*Σs=1NCs---(III)]]>+Σt=1N-1Σu=t+1N(EtuMax(Ct,Cu))]]>其中，δ为晶圆数量的权重系数，1-δ为掩模板面积的权重系数；V_p和V_q表示芯片p和芯片q的实际需求产量，当芯片p和芯片q在切割上冲突时，E_pq＝1；否则，E_pq＝0；N为单个掩模板上芯片的总数量，M代表单个掩模板上实际需求产量大于零的芯片的总数量；代表布局规划中所有芯片的实际需求产量的总和；指单个掩模板上所有芯片面积的总和，即单个掩模板的面积；C_t，C_u分别为同一切割组的芯片t和芯片u的面积，Max(C_t，C_u)表示取两者的最大值；同一切割组的芯片t和芯片u在切割上冲突时，E_tu＝1；否则，E_tu＝0；(6)根据步骤(5)优化求解的结果得到最优布局规划，再按照最优的布局规划去切割晶圆。