[发明专利]一种提高芯片成品率的多项目晶圆切割方法

权利要求书

1.一种提高芯片成品率的多项目晶圆切割方法，包括：

(1)获取芯片的面积和产量需求的信息；

(2)按照实际生产需求确定芯片的优先级，将相同优先级的芯片归于同一分割组；

(3)获取实际生产需求中的掩模板面积和晶圆数量的权重系数的信息；

(4)获取晶圆切割要求参数的信息，所述的晶圆切割要求参数包括最小的切割宽度和芯片周边宽度大小的上限值；

(5)根据步骤(1)的信息随机获取单个掩模板的初始布局规划，以方程表达式(III)作为模拟退火优化的总目标方程，利用模拟退火算法对布局规划进行优化求解，方程表达式(III)如下：

area=δ*Σp=1N-1(Σq=p+1NEpq(Vp+Vq))/(M-1)/Σr=1NVr*Σs=1NCs+(1-δ)*Σs=1NCs---(III)]]>

+Σt=1N-1Σu=t+1N(EtuMax(Ct,Cu))]]>

其中，δ为晶圆数量的权重系数，1-δ为掩模板面积的权重系数；V_p和V_q表示芯片p和芯片q的实际需求产量，当芯片p和芯片q在切割上冲突时，E_pq＝1；否则，E_pq＝0；

N为单个掩模板上芯片的总数量，M代表单个掩模板上实际需求产量大于零的芯片的总数量；

代表布局规划中所有芯片的实际需求产量的总和；指单个掩模板上所有芯片面积的总和，即单个掩模板的面积；

C_t，C_u分别为同一切割组的芯片t和芯片u的面积，Max(C_t，C_u)表示取两者的最大值；同一切割组的芯片t和芯片u在切割上冲突时，E_tu＝1；否则，E_tu＝0；

(6)根据步骤(5)优化求解的结果得到最优布局规划，再按照最优的布局规划去切割晶圆。

2.如权利要求1所述的多项目晶圆切割方法，其特征在于：所述的利用模拟退火算法对布局规划进行优化求解的过程中，调整布局规划的过程如下：

(1)将初始可切割布局规划方案使用可切割树来表示；

(2)将步骤(1)的可切割树的表示方案转化为对应的波兰表达式；

(3)调整波兰表达式：从步骤(2)的波兰表达式随机抽取两个操作数进行互换，得到当前的波兰表达式；

(4)将步骤(3)的当前的波兰表达式转换为相应的布局规划，得到调整后的当前布局规划。