[发明专利]LED芯片封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201010154764.8 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222755A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;郭景宗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LED芯片封装结构及其封装方法，其中LED芯片封装方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成超晶格薄膜；在所述超晶格薄膜表面形成与超晶格薄膜对应的n型薄膜、p型薄膜，以及位于n型薄膜、p型薄膜之间的隔离层；沿所述半导体衬底的第二表面在所述半导体衬底内形成暴露出超晶格薄膜的开口，所述开口用于容纳LED单元。本发明的LED芯片封装方法与半导体工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片封装方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成超晶格薄膜；在所述超晶格薄膜表面形成与超晶格薄膜对应的n型薄膜、p型薄膜，以及位于n型薄膜、p型薄膜之间的隔离层；沿所述半导体衬底的第二表面在所述半导体衬底内形成暴露出超晶格薄膜的开口，所述开口用于容纳LED单元。
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