[发明专利]三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。

主权项

一种三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(A)制造半导体第一圆晶，在制造有外围电路和至少一层选通和电阻转换存储器存储阵列的基底表面依次沉积粘附层甲和金属层甲，此过程辅助以化学机械抛光进行平坦化；(B)制造半导体第二圆晶，在半导体基底上形成PN层，并进行激活处理实现掺杂杂质的激活，在含有PN层的第二圆晶表面依次沉积粘附层乙和金属层乙，此过程辅助以化学机械抛光进行平坦化；(C)将第一圆晶和第二圆晶进行键合，第二圆晶含有金属层乙的表面与第一圆晶含有金属层甲的表面进行接触，通过键合实现堆叠；(D)堆叠完成后去除原第二圆晶多余部分，保留PN层；(E)在获得堆叠后的平坦基底上制造PN二极管选通阵列和电阻转换存储器阵列；(G)制造通孔和上电极，并进行封装处理。