[发明专利]一种n型晶体硅的制备方法无效
| 申请号： | 201010148437.1 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101812728A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋君祥;徐璟玉;胡建锋;熊斌;戴宁;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能电池研究与发展中心 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种n型晶体硅的制备方法，该方法的特征是：在制造多晶硅锭或单晶硅棒的晶体生长过程中，将一个平行于晶体生长方向的直流电场施加于熔融硅液，使液相中的掺杂向固液界面方向迁移，在电场和凝固偏析的双重作用下，在晶体生长先端的液相中形成一个高浓度区域，提高了后续生长晶体的掺杂含量，减弱了凝固偏析的影响，获得在晶体生长方向上均匀掺杂的n型多晶锭或n型单晶棒，并减小了电阻率的偏差范围，提高了产品合格率，从而降低n型硅片的制造成本。该方法尤其适用于制造以P、As或Sb掺杂的n型多晶硅锭或n型单晶硅棒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种n型晶体硅的制备方法，其特征在于：在晶体生长过程中，对熔融硅液施加一个平行于晶体生长方向的直流电场，在温度场和电场的协同控制下完成晶体生长，获得在晶体生长方向上均匀掺杂的n型多晶硅锭或n型单晶硅棒。
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