[发明专利]内嵌晶闸管的PMOS晶体管以及开关电路有效
| 申请号： | 201010144072.5 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208413A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 单毅;唐成琼 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种内嵌晶闸管的PMOS晶体管以及开关电路，所述PMOS晶体管包括：半导体衬底；形成于半导体衬底表面的栅极；形成于栅极两侧半导体衬底内的源极以及扩散区；形成于扩散区内的漏极以及N型注入区；所述扩散区的掺杂类型与源极以及漏极相同，且掺杂浓度低于所述源极以及漏极；所述N型注入区与漏极电连接，且掺杂浓度高于半导体衬底。本发明所述的开关电路具有较佳的静电保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 pmos 晶体管 以及 开关电路 | ||
【主权项】：
一种内嵌晶闸管的PMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底表面的栅极；形成于栅极两侧半导体衬底内的源极以及扩散区；形成于扩散区内的漏极以及N型注入区；所述扩散区的掺杂类型与源极以及漏极相同，且掺杂浓度低于所述源极以及漏极；所述N型注入区与漏极电连接，且掺杂浓度高于半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
