[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201010142684.0 | 申请日: | 2003-03-07 |
公开(公告)号: | CN101944536A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;村上雅一;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77;G09F9/33 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明为发光器件及其制造方法。虽然作为选择性地形成高分子形式有机化合物膜的一种方法的喷墨方法能够在一个步骤中涂敷分割用来发射3种(R、G、B)光的有机化合物,但成膜精度很差,难以控制此方法,因而达不到均匀性,且构造易于弥散。相反,根据本发明,用涂敷方法,包含高分子形式材料的膜被形成在连接到薄膜晶体管的下电极的整个表面上,然后用等离子体腐蚀方法对包含高分子形式材料的膜进行腐蚀,从而能够选择性地形成高分子形式材料层。而且,由用来进行白色发光或单色发光的材料构成了有机化合物层,并与颜色改变层或成色层组合,从而实现了全色形成。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件,它包含驱动电路、端子部分、以及象素部分,所述象素部分包含衬底上的第一发光元件和第二发光元件,其中,所述第一发光元件包含第一电极、所述第一电极上的包含有机化合物的第一层、以及包含所述有机化合物的所述第一层上的第二电极的一部分,其中,所述第二发光元件包括第四电极、所述第四电极上的包含有机化合物的第二层、以及包含所述有机化合物的所述第二层上的所述第二电极的一部分,其中,绝缘物质在所述第一电极的端部和所述第四电极的端部上,其中,所述绝缘物质的侧面的上端部和下端部为圆形,及其中,第三电极位于所述第一发光元件与所述第二发光元件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的