[发明专利]具有肖特基二极管的功率半导体结构及其制造方法

摘要

一种具有肖特基二极管(schottky diode)的功率半导体结构及其制造方法；其制造方法步骤包括：在形成栅极多晶硅结构的步骤中，同时形成一第一多晶硅结构于硅基材上；随后，通过第一多晶硅结构植入掺杂物至硅基材内，以形成本体区与源极掺杂区；接下来，形成一介电层于硅基材上，并以蚀刻方式形成一开口对应于第一多晶硅结构，并使源极掺杂区与本体区下方的漏极区裸露于外；开口的深度小于本体区的最大深度；随后，于开口内填入一金属层以电性连接至源极掺杂区与漏极区。本发明提出的制造方法具有低成本与高可行性的优点，有助于降低制造成本。

主权项

一种具有一肖特基二极管的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一多晶硅层于一硅基材的表面，该多晶硅层包括至少一栅极多晶硅结构与至少一第一多晶硅结构，该第一多晶硅结构与该栅极多晶硅结构间隔一默认距离；以该第一多晶硅结构为屏蔽，植入掺杂物至该硅基材内，以形成至少一个本体区与至少一个源极掺杂区，该本体区位于该栅极多晶硅结构与该第一多晶硅结构间，该源极掺杂区位于该本体区之内；形成一介电层覆盖该栅极多晶硅结构、该第一多晶硅结构与该硅基材的裸露表面；形成一开口对应于该第一多晶硅结构，该开口至少贯穿该介电层，该开口的深度小于该本体区的最大深度，并且，该开口裸露该本体区下方的该硅基材；以及于该开口内填入一金属层。