[发明专利]一种用于硅通孔互连中的硅片对准方法无效
| 申请号： | 201010141746.6 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101814453A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于高集成度封装技术领域，具体公开了一种用于硅通孔互连中的硅片对准方法。该方法包括在多个硅片进行堆叠互连时，采用电学方法对进行堆叠互连的上下硅片进行对准校正，这样，就可以提高硅片对准的精度，减小互连电阻。通过本发明所述方法制成的集成电路芯片具有高速度和低功耗的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅通孔 互连 中的 硅片 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种用于硅通孔互连中的硅片对准方法，其特征在于具体步骤包括：提供两个或多个完成通硅孔结构的硅片；在所述硅片的正面和背面形成互连焊点；将所述硅片进行堆叠互连；采用电学方法对堆叠互连的上下硅片进行对准校正。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010141746.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无基岛引线框结构及其生产方法
- 下一篇：显示装置及其显示系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
