[发明专利]贯通电极的形成方法与半导体基板

摘要

本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。

主权项

一种贯通电极的形成方法，该方法包括：非贯通孔形成工序，其中，在半导体基板的规定位置，形成在上述半导体基板的外面具有开口的第1非贯通孔、在上述第1非贯通孔的底部具有小于上述第1非贯通孔的开口的第2非贯通孔，由此形成2节状的非贯通孔；种子层形成工序，其中，在上述2节状的非贯通孔的内面上形成绝缘层，并且在上述绝缘层上形成提高与上述固体金属的紧密粘接性的种子层；固体金属设置工序，其中，呈没有进入上述第2非贯通孔中的形状的固体金属设置于上述第1非贯通孔上；固体金属软化工序，其中，在减压气氛中对上述固体金属加热，将上述固体金属软化或熔融，通过上述已软化或熔融的金属，充满上述第1非贯通孔内的至少一部分，将上述第2非贯通孔的开口封闭；金属填充工序，其中，通过使上述半导体基板为加压气氛，将上述已软化或熔融的金属填充于上述第2非贯通孔中；去除工序，其中，去除上述半导体基板中的针对厚度方向，上述第1和第2非贯通孔不存在的部分。