[发明专利]芯片封装结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010126422.5 | 申请日： | 2010-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102163558A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王盟仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/58 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种芯片封装结构的制造方法。该制造方法包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有至少一导电孔；(b)设置该基材于一载体上；(c)移除部分该基材，以显露该导电孔，并形成至少一穿导孔；(d)设置数个芯片于该基材的表面，这些芯片电性连接至该基材的穿导孔；(e)形成一包覆材；(f)移除该载体；(g)进行覆晶接合工艺；(h)移除该包覆材；及(i)形成一保护材。藉此，该载体及该包覆材可使该基材于工艺中不易产生翘曲的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片封装结构的制造方法，包括：(a)提供一基材，该基材具有一第一表面、一第二表面、至少一导电孔及至少一第一凸块，该导电孔位于该基材内，该第一凸块位于该第二表面，且电性连接至该导电孔的第一端部；(b)设置该基材于一载体上，其中该基材的第二表面面对该载体；(c)从该基材的第一表面移除部分该基材，以显露该导电孔的第二端部于该基材的一第三表面，并形成至少一穿导孔于该基材；(d)设置数个芯片于该基材的第三表面，这些芯片电性连接至该基材的穿导孔；(e)形成一包覆材于该基材的部分第三表面，并包覆这些芯片；(f)移除该载体；(g)进行覆晶接合工艺，使得该基材的第一凸块接触一承载组件；(h)移除该包覆材；及(i)形成一保护材于该承载组件上，并至少包覆该基材的第一凸块。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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