[发明专利]背照式图像感测器及其制造方法

摘要

本发明提供一种背照式图像感测器及其制造方法。该图像感测器包括一半导体基板，一保护环结构，于该基板中，以及至少一像素，为该保护环结构所包围。该保护环结构通过高能量注入形成于该基板中。本发明通过对基板前侧表面进行离子注入形成保护环结构以及对注入保护环的基板进行回火以移除因注入与活化注入掺质造成的损伤，以降低成品元件保护环中硅损伤的量。

主权项

一种背照式图像感测器的制造方法，包括：提供一半导体基板，具有一前侧表面与一背侧表面；对该半导体基板的该前侧表面实施一离子注入工艺，以于该半导体基板中形成一保护环结构，该保护环结构具有一第一深度，该离子注入工艺具有一能量，大于500keV；以及形成至少一图像感测元件于该半导体基板的该前侧表面上，该至少一图像感测元件为该保护环结构所包围。