[发明专利]一种闪存制作方法

摘要

本发明提供一种闪存制作方法，包括以下步骤：提供一基底；刻蚀一浅沟槽；进行离子注入，形成源极区；形成第一导体层以形成源极；形成第二氧化层和存储介质层，所述存储介质层材料为纳米硅；于存储介质层和基底上形成第三氧化层和第二导体层，对第二导体层进行刻蚀，以形成第一浮栅、第二浮栅和控制栅；于第二导体层和基底上形成第四氧化层和第三导体层，对第三导体层进行刻蚀，以形成第一选择栅和第二选择栅；进行离子注入，形成第一漏极区和第二漏极区；于所述第一漏极区和所述第二漏极区上形成第一漏极和第二漏极。本发明提供的闪存制作方法制作的闪存结构设计巧妙，能够有效的减少闪存的尺寸，从而提高衬底单位面积上的使用效率。

主权项

一种闪存制作方法，其特征在于包括以下步骤：提供一基底；于所述基底内刻蚀一浅沟槽；对所述基底进行第一次离子注入，于所述浅沟槽内形成源极区；于所述浅沟槽内形成第一导体层，定义所述第一导体层，以形成源极；于所述第一导体层上形成第二氧化层和存储介质层；于所述存储介质层和所述基底上形成第三氧化层和第二导体层，对所述第二导体层进行刻蚀，以形成第一浮栅、第二浮栅和控制栅；于所述第二导体层和所述基底上形成第四氧化层和第三导体层，对所述第三导体层进行刻蚀，以形成第一选择栅和第二选择栅，其中所述控制栅位于所述第一选择栅和所述第二选择栅之间；对所述基底进行第二次离子注入，于所述基底内形成第一漏极区和第二漏极区，所述第一漏极区和所述第二漏极区形成于所述源极区的两侧；于所述第一漏极区和所述第二漏极区上形成第一漏极和第二漏极。