[发明专利]可堆栈式封装结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010119472.0 申请日: 2010-02-08
公开(公告)号: CN102148167A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 余国宠;王盟仁 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488;H01L25/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明关于一种可堆栈式封装结构的制造方法。该制造方法包括以下步骤:(a)提供一第一载体;(b)设置至少一芯片于该第一载体上;(c)形成一封胶体以包覆该芯片;(d)移除该第一载体;(e)形成一第一重布层及至少一第一凸块;(f)提供一第二载体;(g)设置于该第二载体;(h)移除部分该芯片及部分该封胶体;(i)形成一第二重布层;及(j)移除该第二载体。藉此,该第二重布层使该可堆栈式封装结构在应用上有较多弹性。
搜索关键词: 堆栈 封装 结构 制造 方法
【主权项】:
一种可堆栈式封装结构的制造方法,包括:(a)提供一第一载体,该第一载体具有一表面;(b)设置至少一芯片于该第一载体的表面,该芯片包括一第一表面、一第二表面、一主动线路层及至少一导电孔,该主动线路层位于该芯片内,且显露于该第二表面,该导电孔位于该芯片内,且连接至该主动线路层;(c)形成一封胶体于该第一载体的表面,以包覆该芯片,该封胶体包括一表面,该表面附着于该第一载体的表面;(d)移除该第一载体,以显露该芯片的第二表面及该封胶体的表面;(e)形成一第一重布层及至少一第一凸块,该第一重布层位于该芯片的第二表面及该封胶体的表面,且通过该主动线路层电性连接至该导电孔,该第一凸块位于该第一重布层上,且通过该第一重布层电性连接至该主动线路层及该导电孔;(f)提供一第二载体;(g)将该第一重布层的一表面设置于该第二载体;(h)移除部分该芯片及部分该封胶体,以显露该导电孔于该芯片的第一表面,而形成一穿导孔;(i)形成一第二重布层于该芯片的第一表面,且电性连接至该穿导孔;及(j)移除该第二载体。
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