[发明专利]一种有机半导体材料及使用该材料的有机薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201010118172.0 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101798310A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 耿延候;田洪坤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种化合物，选择含有硫原子的平面刚性梯形分子s-引达省并[1，2-b：5，6-b′]二噻吩为核，借助π电子云的相互重叠及硫原子间的弱相互作用实现分子间的强相互作用；在梯形核的径向引入强吸电子的二氰乙烯基以降低分子的最高未被占分子轨道能级同时拓展分子在径向的共轭程度，以实现电子的有效注入和传输；在梯形核的末端引入烷基以提高分子在成膜过程中的自组织能力，实现高有序薄膜，从而应用于有机薄膜晶体管中。实验表明，利用本发明提供的化合物构成的有机半导体材料的电子迁移率为0.33cm2/V.s，比现有技术提供的有机半导体材料的电子迁移率有很大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 半导体材料 使用 材料 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种式(I)化合物：![]()
其中，R为烷基。
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