[发明专利]全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法无效
| 申请号： | 201010113819.0 | 申请日： | 2010-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101789477A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;孙莉莉;张会肖;伊晓燕;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统LED工艺流程，在不增加任何工艺步骤的基础上，通过合理的版图设计，实现LED芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下，能有效提高LED的发光效率。本发明可通过常规LED工艺流程予以实现：首先对GaN外延片进行台面刻蚀，形成侧壁锯齿状粗化的GaN台面和N型GaN沟槽，其中GaN台面包括P型GaN、量子阱和N型GaN，在P型GaN表面制备侧壁锯齿状粗化的透明导电薄膜，然后在导电薄膜上制备P型电极，在沟槽内制备N型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 锯齿状 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括：首先对GaN外延片进行台面刻蚀，形成侧壁锯齿状粗化的GaN台面和N型GaN沟槽，其中GaN台面包括P型GaN、量子阱和N型GaN，然后在P型GaN表面形成侧壁锯齿状粗化的透明导电薄膜，再在透明导电薄膜上制备P型电极，在沟槽内制备N型电极，使LED芯片的所有侧壁均被粗化。
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