[发明专利]一种石墨烯MOS晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 201010111271.6 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101783366A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘晗;顾晶晶;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种石墨烯MOS晶体管及其制备方法。本发明首先通过氢气等离子体处理本征石墨烯得到氢化石墨烯，然后利用原子层淀积金属氧化物的方法破坏石墨烯的大π键，从而有效扩展石墨烯的禁带宽度，降低了石墨烯MOS晶体管中的栅极漏电流，同时，未淀积金属氧化物的石墨烯可以保持其半金属性质，作为MOS晶体管中的源极和漏极，从而减小了源漏与沟道的接触电阻。本发明所公开的办法与现行的CMOS工艺兼容，使得大规模石墨烯基集成电路成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 mos 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯MOS晶体管，包括栅区、源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述栅区和沟道区位于所述源区和漏区之间，所述栅区位于所述沟道区之上，所述栅区和沟道区之间存在一层栅介质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010111271.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自动焊接机弧光检测智能跟踪系统
- 下一篇：一种番茄分选除草装置
- 同类专利
- 专利分类
