[发明专利]非易失性半导体存储装置及执行校验写入操作的方法有效
| 申请号： | 201010108132.8 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101800076A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 椎本恒则;北川真;对马朋人 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;许向华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本文公开了一种非易失性半导体存储装置及在其上执行校验写入操作的方法，该非易失性半导体存储装置包括多个存储单元和驱动器电路，该驱动器电路被配置成以周期执行校验写入操作，包括从多个存储单元的阵列中选择用于构成写入单元单位的预定数量的存储单元、将数据集体地写入预定数量的存储单元以及校验写入的数据，该驱动器电路还重复地执行校验写入操作，直到写入单元单位内的所有存储单元都通过了校验为止。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 执行 校验 写入 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，包括：多个存储单元；以及驱动器电路，其被配置成以周期执行校验写入操作，包括：从所述多个存储单元的阵列中选择用于构成写入单元单位的预定数量的存储单元；将数据集体地写入所述预定数量的存储单元；以及校验写入的数据，所述驱动器电路还重复地执行所述校验写入操作，直到所述写入单元单位内的所有存储单元都通过了校验为止；其中，利用从所述多个存储单元的阵列中选择的多个所述写入单元单位，所述驱动器电路在未通过校验的存储单元上，按照向一个写入单元单位写入数据比向另一个写入单元单位写入数据晚至少一个周期开始的方式，同时地执行多个所述校验写入操作。
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