[发明专利]隔离型LDNMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型LDNMOS器件，包括了漂移区、沟道区、源区、漏区以及多晶硅栅，在沟道区和漏区间形成有浅沟槽隔离。漂移区由一高压深N阱和一SONOS深N阱横向相连组成，高压深N阱的深度大于所述SONOS深N阱的深度；且高压深N阱处于沟道区的下方，SONOS深N阱形成于浅沟槽隔离场氧化层下方。本发明还公开了该隔离型LDNMOS器件的制造方法。本发明并不需要新加光罩，而仅是对现有隔离型LDNMOS的深N阱以及SONOS的深N阱的版图进行变动就能实现，能够使高压器件的击穿特性和源漏导通电阻特性同时优化，并能大大降低成本。

主权项

一种隔离型LDNMOS器件，其特征在于，包括：一P型衬底，衬底电极通过形成于衬底中的低压P阱再做P+欧姆接触引出，所述衬底电极形成隔离环；一漂移区，由一高压深N阱和一SONOS深N阱横向相连组成，所述高压深N阱的深度大于所述SONOS深N阱的深度，所述高压深N阱电极通过低压N阱一做N+欧姆接触引出；一沟道区，由形成于所述高压深N阱中的高压P阱组成，所述沟道区和所述SONOS深N阱相隔一定的距离使所述沟道区只处于所述高压深N阱中，通过一P+欧姆接触引出沟道电极；一源区，由形成于所述沟道区中N+掺杂区组成，直接做欧姆接触引出源极；一漏区，由形成于所述SONOS深N阱中的低压N阱二中的N+掺杂区组成，直接形成欧姆接触引出漏极，在所述漏区和沟道区之间的所述SONOS深N阱中的部分漂移区中形成有浅沟槽隔离场氧化层，所述浅沟槽隔离场氧化层和所述漏区相连、和所述沟道区相隔部分漂移区一，所述部分漂移区一为所述SONOS深N阱和所述高压深N阱的有部分重叠的相接区域，使所述漏极端漂移区只处于所述SONOS深N阱中；一多晶硅栅，形成于所述沟道区上，覆盖了所述沟道区、所述部分漂移区一和部分所述浅沟槽隔离场氧化层，所述多晶硅栅通过栅氧化层和所述沟道区、所述部分漂移区一隔离。