[发明专利]隔离型LDNMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种隔离型LDNMOS器件，其特征在于，包括：一P型衬底，衬底电极通过形成于衬底中的低压P阱再做P+欧姆接触引出，所述衬底电极形成隔离环；

一漂移区，由一高压深N阱和一SONOS深N阱横向相连组成，所述高压深N阱的深度大于所述SONOS深N阱的深度，所述高压深N阱电极通过低压N阱一做N+欧姆接触引出；

一沟道区，由形成于所述高压深N阱中的高压P阱组成，所述沟道区和所述SONOS深N阱相隔一定的距离使所述沟道区只处于所述高压深N阱中，通过一P+欧姆接触引出沟道电极；

一源区，由形成于所述沟道区中N+掺杂区组成，直接做欧姆接触引出源极；

一漏区，由形成于所述SONOS深N阱中的低压N阱二中的N+掺杂区组成，直接形成欧姆接触引出漏极，在所述漏区和沟道区之间的所述SONOS深N阱中的部分漂移区中形成有浅沟槽隔离场氧化层，所述浅沟槽隔离场氧化层和所述漏区相连、和所述沟道区相隔部分漂移区一，所述部分漂移区一为所述SONOS深N阱和所述高压深N阱的有部分重叠的相接区域，使所述漏极端漂移区只处于所述SONOS深N阱中；

一多晶硅栅，形成于所述沟道区上，覆盖了所述沟道区、所述部分漂移区一和部分所述浅沟槽隔离场氧化层，所述多晶硅栅通过栅氧化层和所述沟道区、所述部分漂移区一隔离。

2.如权利要求1所述的隔离型LDNMOS器件，其特征在于：所述高压深N阱的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为2000KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火；所述SONOS深N阱的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为1000KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火。

3.一种隔离型LDNMOS器件的制造方法，其特征在于：

采用高压深N阱和SONOS深N阱两次注入工艺在一P型衬底上形成漂移区，使所述漂移区在横向上由高压深N阱和SONOS深N阱相连而成；

形成沟道区，采用高压P阱工艺形成于所述高压深N阱中，所述沟道区不和所述SONOS深N阱相连；

采用低压N阱工艺在所述SONOS深N阱中形成低压N阱二，在所述低压N阱二中进行N+掺杂形成漏区；

在所述沟道区中进行N+掺杂形成形成源区；

在所述SONOS深N阱中形成浅沟槽隔离场氧化层，使所述浅沟槽隔离场氧化层和所述漏区相邻接、和所述沟道区相隔部分漂移区一；

在所述沟道区和所述部分漂移区一以及部分所述浅沟槽隔离场氧化层上形成栅氧化层以及多晶硅栅；

在衬底上形成低压P阱并引出衬底电极、在沟道区中形成低压N阱一并引出沟道电极、在源区和漏区上分别引出源极和漏极。

4.如权利要求3所示的隔离型LDNMOS器件的制造方法，其特征在于：所述高压深N阱的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为2000KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火；所述SONOS深N阱的掺杂离子为磷离子、体浓度为10¹⁶～10¹⁸个/cm³，是通过离子注入形成，注入能量为1000KeV，并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火。